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麦可耐因哪里有《下单网·站mmgg520.com》DRAM 成本低,容量大,但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进,读取延迟(Latency)也大,且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件,具有低成本优势,一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势,有几乎最高的能效比,容量密度略小,在精度增强后可以保证较高精度,一般适用于云计算等大算力场景。版权声明:本站部分文章来源或改编自互联网及其他公众平台,主要目的在于分享信息,版权归原作者所有,内容仅供读者参考,如有侵权请联系我们,如若转载,请注明出处:https://www.***.com/《下单网·站mmgg520.com》麦可耐因哪里有《下单网·站mmgg520.com》



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